硅烷純度分析氦離子氣相色譜儀

簡(jiǎn)要描述：PDHID對(duì)硅烷中氣體雜質(zhì)檢測(cè)限（ppb） H2 O2 Ar N2 CO CH4 CO2 C2 C3 SimHn 50 50 50 50 20 20 20 20 50

產(chǎn)品型號(hào)：GC-9560-HG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2023-04-07
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　　一，GC-9560-HG硅烷純度分析氦離子氣相色譜儀的應(yīng)用領(lǐng)域：

　　硅烷在大規(guī)模集成電路(LSI)、超大規(guī)模集成電路(VLSI)和半導(dǎo)體器件制造中，用于氣相外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相淀積等工藝(工序)。

　　1. 外延(生長(zhǎng))混合氣在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長(zhǎng)一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽(yáng)能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。

　　2. 化學(xué)氣體淀積(CVD)用混合氣 CVD是利用揮發(fā)性化合物，通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法。依據(jù)成膜種類，使用的化學(xué)氣相淀積(CVD)氣體也不同。

　　二:硅烷中微量雜質(zhì)的分析一直是色譜分析的難點(diǎn)。

　　目前多數(shù)采用的熱導(dǎo)檢測(cè)器由于靈敏度有限，很難測(cè)定5ppm以下的雜質(zhì)；火焰離子化檢測(cè)器和氧化鋯檢測(cè)器是選擇性的檢測(cè)器，只能分析少數(shù)幾種氣體雜質(zhì)，均不能很好的滿足硅烷氣體分析的基本要求。

　　PDHID檢測(cè)器(脈沖放電氦離子檢測(cè)器)是一種靈敏度的通用型檢測(cè)器，對(duì)幾乎所有無(wú)機(jī)和有機(jī)化合物均有很高的響應(yīng)，特別適合*氣體的分析，是*能夠檢測(cè)至ng/g(ppb)級(jí)的檢測(cè)器。

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